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FDN335N_Q现货价格
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产品分类
半导体与光电子
分立式半导体
晶体管
MOSFET
FDN335N_Q
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
FDN335N_Q
产品描述
MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
内部编号
3-FDN335N-Q
生产厂商
Fairchild Semiconductor
库存信息
产品规格
相关产品
订购说明
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质量保障
原厂背书质量,全面技术支持
全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式
全面支持货到付款
VIP客户月结
FDN335N_Q产品详细规格
规格书
Status
Obsolete
RoHS
No
晶体管极性
N-Channel
漏源击穿电压
20 V
源极击穿电压
+/- 8 V
连续漏极电流
1.7 A
抗漏源极RDS ( ON)
0.07 Ohms
配置
Single
最高工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装/外壳
SSOT-3
封装
Reel
下降时间
8.5 ns
正向跨导gFS (最大值/最小值)
7 S
最低工作温度
- 55 C
功率耗散
0.5 W
上升时间
8.5 ns
典型关闭延迟时间
11 ns
寿命
Obsolete
FDN335N_Q系列产品
型号
厂家
产品描述
FDN335N
fairchild semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R
FDN335N
rochester electronics
MOSFET N-CHAN 20V 1.7A SSOT3
FDN335N_NL
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 20V
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订购FDN335N_Q.产品描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 20V. 生产商: Fairchild Semiconductor.芯天下有低价
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